戴伟民：年复合增长率34.5%！FD-SOI赛道炙手可热，芯原领跑IP生态

2025年9月25日，第十届上海 FD-SOI 论坛在香格里拉酒店顺利召开。

芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民在开场致辞中回顾了FD-SOI技术的历史进程，并揭示了这一技术的巨大潜力和广阔前景。

图 | 芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民，来源：芯原股份

他提到，FD-SOI是一种基于绝缘体上硅衬底的晶体管技术，具有超薄体、超薄埋氧层、全介质隔离和无沟道掺杂等特点。与传统的体硅技术相比，FD-SOI提供了更好的栅极控制能力，使得晶体管在缩放至更小尺寸时仍能保持优异性能。

与三维结构的FinFET技术不同，FD-SOI是二维全耗尽晶体管技术。这两种技术并非替代关系，而是互补共存：FinFET适用于高性能计算、云服务等场景，而FD-SOI则在低功耗、边缘计算、物联网等领域展现独特优势。

图 | FD-SOI里程碑事件，来源：芯原股份

FD-SOI技术的发展可追溯至2001年加州大学伯克利分校教授胡正明等人的开创性研究。经过二十多年的发展，这一技术已实现从理论到产业的跨越：

• 2012年，意法半导体率先推出28nm FD-SOI平台
• 2014年，三星授权ST的28nm FD-SOI工艺平台
• 2015年，格罗方德推出22nm FD-SOI（22FDX）代工平台
• 2022年，格罗方德与意法半导体共同投资12nm FD-SOI技术
• 2024年，意法半导体与三星联合推出18nm FD-SOI技术并嵌入相变存储器

更令人振奋的是，2024年6月，法国CEA-Leti宣布启动FAMES试点线，将开发10nm和7nm FD-SOI技术，标志着FD-SOI技术正式向更先进节点迈进。

作为中国半导体IP和芯片设计服务的重要企业，芯原在FD-SOI领域已深耕多年。戴伟民在论坛上分享了芯原在这一技术上的显著成果：

芯原已开发60多个基于22nm FD-SOI的模拟和数模混合IP，包括基础IP、DAC IP和接口协议IP等。这些IP已授权给45家客户超过300次，完成了43个芯片设计项目，其中33个项目已实现量产，累计出货量超过1亿颗。

图 | 芯原基于22nm FD-SOI的接口IP，来源：芯原股份

在射频IP方面，芯原提供了包括BLE、Wi-Fi 6、802.11ah、NB-IoT、GNSS等完整组合，所有IP均经过硅验证，为客户提供完整的无线解决方案。

特别值得一提的是，芯原在FD-SOI体偏压技术应用上实现突破，通过反向体偏压将待机监控模块的漏电功耗降低10倍，通过正向体偏压实现基带模块更高性能和更低动态功耗。

关于潜在市场方向，戴伟民认为，FD-SOI技术的特性使其在多个高增长领域具有独特优势：

汽车电子：FD-SOI技术适合用于MCU、传感器、雷达处理、功率管理和V2X通信等汽车电子系统，其低功耗和高可靠性符合汽车电子严格要求。

物联网与可穿戴设备：对于智能手表、健身追踪器、可听设备等需要长续航的产品，FD-SOI的低功耗特性至关重要。芯原开发的基于22nm FD-SOI的MCU仅需2节AA电池即可工作2年。

边缘AI：FD-SOI技术为常开AI处理器、智能语音识别和轻量级神经网络加速器提供理想平台，满足边缘设备对低功耗和高能效的需求。

5G/6G与毫米波通信：FD-SOI在射频前端、功率管理IC和毫米波芯片方面表现优异，特别适合5G/6G基础设施和卫星通信应用。

毫米波雷达：FD-SOI技术为汽车雷达和工业雷达系统提供高性能、低功耗的解决方案。

市场研究数据显示，FD-SOI市场规模预计将从2022年的9.3亿美元增长至2027年的40.9亿美元，年复合增长率高达34.5%，显示出强劲的增长势头。

图 | FD-SOI市场规模预测，来源：芯原股份

生态建设方面，欧盟通过《芯片法案》大力支持FD-SOI技术发展。2022年7月，法国总统马克龙与格罗方德、意法半导体高管共同宣布在法国建设12nm FD-SOI晶圆厂。2025年6月，FAMES试点线还将启动欧洲FD-SOI设计学院，为欧洲微电子行业培养专业人才。

戴伟民指出，未来半导体技术发展将是“两条腿走路”的策略：FD-SOI专注于物联网、自动驾驶、5G、毫米波雷达等低功耗场景；而FinFET则聚焦云计算、AI、高性能服务器等高算力领域。这两种技术将互补共存，共同推动半导体产业进步。

随着边缘计算、物联网和人工智能应用的爆发式增长，FD-SOI技术凭借其低功耗、高集成度和优异射频性能的优势，正迎来黄金发展期。在全球半导体产业链的共同努力下，FD-SOI技术有望在未来的智能世界中扮演越来越重要的角色。