增芯 SOI BCD 技术路线图曝光，锚定国产车规芯片高端化

SOI BCD技术作为当前半导体领域的关键技术之一，已在全球范围内实现大规模量产，被英飞凌、意法半导体、恩智浦等世界领先IDM企业与Foundry广泛应用。

在此背景下，广州增芯科技有限公司SOI BCD技术研发总监杨浩在2025国际RF-SOI论坛上发表了题为《打造全国产高端SOI BCD车规芯片供应链》的主题演讲。

图 | 广州增芯科技有限公司SOI BCD技术研发总监杨浩；来源：增芯、新傲芯翼

杨浩提到，相较于传统体硅BCD技术，SOI BCD技术在产品性能、环境适应性、设计效率及成本控制等方面展现出显著优势，尤其在汽车领域表现突出。

对此，他解释道：“在产品性能上，SOI BCD芯片在电磁兼容（EMC）与静电放电（ESD）方面表现卓越，更易满足严苛应用需求，且能在- 40°C至175°C的恶劣环境下稳定工作，完美契合车规级芯片的温度要求；在器件特性上，其拥有更宽的ESD设计窗口与电压扩展性，能轻松应对不同电压域，同时具备极低导通电阻的一流电气性能，且无寄生双极晶体管效应，可实现无闩锁解决方案；在设计层面，依托全介质隔离特性，可实现 ‘一次成功’设计，缩短设计周期、提升成功率，且合格IP可在不同产品设计中重复使用，提升设计效率；在成本方面，更小的芯片尺寸为成本优化提供可能，即便SOI晶圆成本较高，整体成本效益仍优于体硅BCD技术。”

基于这些优势，SOI BCD 技术正在成为汽车、工业、医疗领域芯片的理想选择，能精准匹配汽车执行器与传感器产品对性能、成本的双重需求。

图 | 增芯已推出首款 0.15μm 10V-150V SOI BCD 车规技术；来源：增芯、新傲芯翼

0.15μm制程工艺下的10V-150V SOI BCD车规技术作为增芯首款推出的SOI BCD技术产品，集成数字、模拟、高压及嵌入式非易失性存储器（NVM）功能，支持 AEC - Q100 0 级（-40°C - 175°C 温度范围）要求，性能对标行业先进车规技术，可满足当前主流 12V、新兴 48V 电池以及电池管理系统模拟前端（BMS AFE，125V、150V）的应用需求，在纯 Foundry 企业中形成了独特竞争力，同时该技术也可拓展至工业、医疗、航空航天等领域，进一步扩大应用边界。

图 | 增芯SOI BCD 技术在导通电阻（RonA?）与击穿电压（BVdss?）两个关键性能指标的平衡上已实现 “世界级” 水平；来源：增芯、新傲芯翼

为确保技术性能与稳定性，增芯在0.15μm 10V-150V SOI BCD技术研发中攻克多项关键技术，比如：深沟槽隔离（DTI）实现超 300V 隔离；高压MOS 模块覆盖 20V-150V；高增益双极晶体管、精准齐纳二极管等丰富器件库。同时采用低掩膜、模块化设计，部分模块零掩膜兼容，降本提效。

图 | 增芯全SOI BCD 技术Roadmap；来源：增芯，与非网摄制

立足现有技术成果，增芯制定了清晰的 SOI BCD 技术 Roadmap，明确了未来数年的技术发展方向。2025年将完善 0.15μm 10V-150V技术；2026年将拓展至 200V-300V；2027年研发90nm薄埋氧层SOI BCD并引入 eFlash IP；2028年突破600V-1200V技术，适配AI领域栅极驱动

从应用场景来看，增芯的 SOI BCD 技术与多领域需求高度契合。在汽车领域，20V - 90V 模块可用于 12V 电池相关应用，20V - 150V 模块适配 48V 电池与 BMS AFE，200V - 300V 及 600V - 1200V 模块则可满足未来更高电压需求的工业，医疗和AI领域各方面的应用：在工业领域，可用于电池管理 IC、氮化镓（GaN）栅极驱动 IC、高压开关等；在医疗领域，为超声设备提供核心芯片支持；在航空航天领域，可用于专用集成电路（ASIC）。