基于InnoGaN ISG6121TD 设计的4kW双向PFC电源方案

核心技术优势/方案详细规格/产品实体图/PCB/方块图Datasheet/测试报告/Gerber/Schematics/User manual +一键获取

在能源需求不断增长的时代，电力消耗逐渐从化石燃料转向可再生能源，低碳节能已成为全球优先事项。智能电网作为构建可持续、更高效能源未来的关键支撑，具备集成可再生能源、优化能源消耗和提高电网可靠性的能力。而双向储能模块则是智能电网的“灵活调节中枢”，能够确保各个环节之间电力的有效传输。

全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者英诺赛科近日推出更高效、更节能的4kW双向PFC方案?，凭借氮化镓低损耗、高速开关等优势，或将助力智能电网实现突破性收益！

4kW双向PFC方案采用AC-DC无桥图腾柱PFC拓扑，设计紧凑，支持双向工作，内置英诺赛科合封氮化镓，峰值效率高达99.03%。

该方案内置4颗InnoGaN 合封器件 ISG6121TD，整个电源模块（不包括风扇和辅助电源）在整流230Vac测量的峰值效率为99.03%，逆变测试峰值效率98.95%。

ISG6121TD 是 SolidGaN? 产品系列的一部分，该系列产品不仅具备分立式 GaNFET 的所有优势（关键任务应用中的长寿命可靠性、超低开关损耗和零 Qrr），还具备其他先进功能。

SolidGaN? 的先进功能包括：

• 稳压 Vgs，可实现最佳的导通电阻 (Rdson) 和栅极节点可靠性
• 去饱和检测，用于短路保护
• 过温保护
• 米勒钳位，可实现可靠的关断

ISG6121TD 采用坚固耐用的 TO247-4L 汽车级热优化封装，并带有开尔文源极引脚。

ISG6121TD?的 Vdss 额定值为 700V，实际 BVdss 电压更高，导通电阻 (Rdson) 为 22mΩ（典型值 25C）。驱动引脚支持高达 27V 的 PWM 输入电压。

ISG6121TD?可以替代 IGBT 和 650V SiC MOSFET，具有显著更高的 PFC 效率，适用于 AI 数据中心高达 5.5kW 的高功率系统。

FAQ:

1：氮化镓INN6121TD内阻是多少？
INN100EA035A在环温25度情况下，内阻为22毫欧。

2：这套方案功率密度做到多少?
该方案功率密度:65.6W /立方英寸。

3：该方案，可以应用在哪些场景？
应用的地方比较广，比如便携式储能，空调电源，服务器电源等。

4：如果要做这个方案，可以提供一些什么技术支持？
我们可提供整套方案，原理图，PCB Layout参考，以及技术指导。

5：该方案中，GaN采用INN6121TD，该管子是什么封装，大约是一个什么样的规格？
系统采用InnoGaN合封器件，该器件采用TO-247-4L封装，管脚采用开尔文源极设计，漏源耐压700V，导通电阻22mΩ Typ。驱动耐压最高可达27V，可直接替换同封装的Si MOS,实现快速替换。