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ASC800N1200HPD三相全桥碳化硅（SiC)模块

07/17 16:31
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ASC800N1200HPD三相全桥碳化硅（SiC)模块

1.15 MB

ASC800N1200HPD三相全桥碳化硅（SiC）功率模块

1. 最高工作结温175℃；

2. 寄生电感低于9nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

3.?参数范围：

? ? VDS：650~1700V

? ? ID：400~1000A

? ? RDS(on)?：1.3~6.5mΩ

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