ASR9N1200ME2 系列碳化硅（SiC）功率模块

07/17 16:31 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ME2 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4.?参数范围：

? ? VDS：650~1700V

? ? ID：30~300A

? ? RDS(on)?：4~80mΩ

34mm封装碳化硅模块采用成熟的34mm器件半桥拓扑设计，具有高功率密度，允许使用相同的结构尺寸来增加逆变器输出功率，延长了器件使用寿命，提高了系统可靠性，为终端客户提高了产品竞争力。

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