ASC600N1200HPD碳化硅（SiC)模块1200V600A

08/15 11:08 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC600N1200HPD碳化硅（SiC)模块1200V600A

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HPD 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 最高工作结温175℃；

2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

3. 参数：? ? VDS：1200V? ? ID：600A? ? RDS(on)?：2.7mΩ

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