MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册

2023/04/25 作者：恩智浦

408

加入交流群

扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册

射频功率LDMOS 晶体管高韧性N沟道增强型横向MOSFET?这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。

特点

无与伦比的输入和输出，可实现广泛频率范围的利用
设备可单端使用或采用推挽配置
最大50 VDD操作的合格化
在30到50 V范围内进行特性化，以扩展功率范围
适用于具有适当偏置的线性应用
集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，以改善C类操作
使用系列等效大信号阻抗参数进行特性化
推荐驱动器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

推荐器件

更多器件

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	数据手册	ECAD模型	风险等级	参考价格	更多信息
PMR209MC6100M047R30	1	KEMET Corporation	RC Network, Isolated, 47ohm, 630V, 0.1uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT		ECAD模型下载ECAD模型		$2.17	查看
VS-60EPF12-M3	1	Vishay Intertechnologies	DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode				$11.69	查看
205090-1	1	TE Connectivity	HD 20 SOCKET CONTACT		ECAD模型下载ECAD模型		$1.07	查看

原创声明：本文为恩智浦原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

相关推荐

28/32 V LDMOS：新的IDCH技术将射频功率性能提高到4 GHz
资料意法半导体(ST)
326
2023/04/25
28/32V LDMOS：IDDE技术提高效率和稳健性
资料意法半导体(ST)
329
2023/04/25
50V射频LDMOS晶体管：新的IDEV技术将射频功率性能提高到2.0kW
资料意法半导体(ST)
90
2023/04/25
28/32 V LDMOS：IDDE技术提高效率和稳健性
资料意法半导体(ST)
295
2023/04/25
AFT09MS031NR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据手册
资料恩智浦
829
2023/04/25
AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶体管-数据手册
资料恩智浦
576
2023/04/25
AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表
资料恩智浦
386
2023/04/25

方案定制

方案开发定制化，2000+方案商即时响应！

相关资料

TA的热门作品