RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
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AFT05MP075NR1,AFT05MP075GNR1 宽带RF功率LDMOS晶体管 - 数据表
RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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0008500105 | 1 | Molex | Wire Terminal, LOW HALOGEN, ROHS AND REACH COMPLIANT |
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$0.13 | 查看 | |
T2550-12I | 1 | STMicroelectronics | 25 A , 1200 V , Snubberless in TO-220AB Ins. Triac |
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$4.69 | 查看 | |
CRCW04020000Z0EDHP | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 0ohm, Surface Mount, 0402, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.15 | 查看 |