• 资料介绍
  • 推荐器件
  • 相关推荐
申请入驻 产业图谱

AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶体管-数据手册

2023/04/25
576
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶体管-数据手册

RF功率LDMOS晶体管 N通道增强模式侧向MOSFET 此63瓦对称多尔蒂射频功率LDMOS晶体管设计用于覆盖1805至1880 MHz频段的蜂窝基站应用。

  • 典型的多尔蒂单载波W-CDMA性能:VDD = 28伏特,IDQA = 1000毫安培,VGSB = 1.2伏直流,Pout = 63瓦平均值,输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01%概率的CCDF。

特点:

  • 在对称多尔蒂配置下进行生产测试
  • 更大的负门源电压范围,以改善C类操作
  • 设计用于数字预畸变误差校正系统
  • 带卷和卷筒。R6后缀= 150个单位,56毫米带宽,13英寸卷筒

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
EZADT31AAAJ 1 Panasonic Electronic Components RC Network, RC Low Pass Filter, 0.063W, 100ohm, 12V, 0.000022uF, Surface Mount, 10 Pins, CHIP
暂无数据 查看
SMCJ36CA 1 Pulse Electronics Corporation Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN
$0.37 查看
282403-1 1 TE Connectivity MINI MIC SRS REC CONT

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.12 查看
恩智浦

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

查看更多

相关推荐