RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率数据手册
RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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EZADT32AAAJ | 1 | Panasonic Electronic Components | RC Network, RC Low Pass Filter, 0.063W, 100ohm, 12V, 0.000047uF, Surface Mount, 10 Pins, CHIP |
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暂无数据 | 查看 | |
TS420-600B-TR | 1 | STMicroelectronics | 4A sensitive gate SCRs |
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$1.59 | 查看 | |
B2B-PH-K-S(LF)(SN) | 1 | JST Manufacturing | Board Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT |
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$0.1 | 查看 |