芯耀
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干法刻蚀（Dry Etching）和湿法刻蚀（Wet Etching）是半导体制造中用于图形转移的重要步骤，它们各自有不同的机理、优劣势和适用场景。
干法刻蚀是利用气相等离子体或反应性气体对材料进行各向异性刻蚀，其原理主要是通过等离子体、离子轰击或化学反应去除材料。包括反应性离子刻蚀（RIE）、深反应离子刻蚀（DRIE）、离子束刻蚀（IBE）等。
湿法刻蚀利用液态化学试剂对材料进行刻蚀，常见为酸、碱等溶液，其原理主要是化学溶液通过与材料发生反应，使材料溶解于液相中。多为各向同性刻蚀。
刻蚀不同的材料所需要用的气体或者溶液也是不一样的。
干法刻蚀和湿法刻蚀应用场景存在差异。
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