ASC600N1700MEDH碳化硅模块内加SiC二极管1700V600A/ED3

08/27 17:09 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC600N1700MEDH碳化硅模块内加SiC二极管1700V600A/ED3

1.14 MB

ASC600N1700MEDH碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用真空回流焊工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃；

2. 功率密度高,适用高温、高频应用，超低损耗；

3. 常关功率模块，零拖尾电流，寄生电感小于15nH，开关损耗低；

4.?参数范围：? ?VDS：1700V? ? ID：600A? ? RDS(on)?：4.3mΩ

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