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Diodes推出车规级 80V 低 IQ 理想二极管控制器

09/02 15:04
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Diodes?推出符合汽车级的?80V?理想二极管控制器AP74502Q和AP74502HQ.提供强大且可靠的反向连接保护和电压瞬变保护.

典型产品应用包括高级驾驶辅助系统?(ADAS)、车身控制模块、信息娱乐系统、外部照明和?USB?充电端口.

这两款理想二极管控制器具备实现高效且快速反极性保护电路所需的所有功能,也具有负载断开功能,能够应对过压和欠压情况.凭借?80V?电压能力,这两款器件适用于所有?12V?和?24V?电池,包括混合动力汽车和电池电动车?(EV)?的电池,以及新兴的?48V?系统.向?48V?系统过渡可为电动车创新奠定基础,实现电动涡轮增压和改良再生制动等功能。更高的电压也有助于高级信息娱乐系统和电动辅助元器件,还可以促成区域架构,使得配电更高效并减少布线需求.

48V?系统的过压应力条件更严格,而两款器件的±80V?额定值就与此密切相关。与具有反向电流阻隔功能的理想二极管不同,这两款器件适用于能量可能返回输入电源的产品应用。不过这两款器件也可配置为浪涌抑制器,在出现不受抑制的负载突降瞬变情况下,保护过压电源和下游负载.

AP74502Q?和?AP74502HQ?控制器也支持低至?3.2V?的输入电压,即使在严重冷启动条件下?(会导致电池电压大幅降低),也能确保正常可靠工作。两款器件的峰值栅极关断灌电流均为2.3A,可在必要时?(例如出现过压或欠压情况)?快速关断外部?N?通道?MOSFET.启用电荷泵时,工作静态电流?(IQ)为?62?A,而停用模式下则为?1?A.这能大幅降低系统的整体功耗,并将电池消耗降至绝对最低值AP74502Q?的峰值栅极拉电流典型值为?60μA,可通过内置浪涌电流控制,实现流畅启动,这有利于必须限制初始电流浪涌的产品应用.

相比之下,AP74502HQ?拥有更高的?11mA?峰值栅极拉电流,与?Diodes?早期理想二极管控制器产品类似。更强大的栅极驱动可以更快导通外部?MOSFET,时间通常在?1?s?以内.』

(作者:Diodes;出处:WWW.diodes.com)



1- ?输入电压范围从3.2V到80V(3.9V启动)

2- ?支持-80V反向电池电压

3- ?支持外挂N沟道功率MOSFET
4- ?支持驱动外挂背靠背N沟道MOSFET
5- ? AP74502Q:60uA峰值栅极源
6- ? AP74502HQ:11mA峰值栅极源
7- ? 待机时的低关断电流为0.9uA
8- ? 工作时的低静态电流为62uA
9- ? 2.3A峰值栅极关断电流
10- 静电放电保护:HBM时为2kV,CDM时为750V
11- 符合AEC-Q100 的资格认证,并且在IATF16949认证的生产设施中制造。
12- SOT28封装
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