芯耀
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三星电子宣布调整战略，将 DDR4 DRAM 芯片的生产周期延长至 2026 年 12 月，取代原计划的 2025 年底停产安排。
这一决策背后是市场供需格局的剧烈变化与技术路线竞争的双重驱动。由于三星在高带宽内存（HBM）领域的进展不及预期，其 HBM3E 产品因未通过英伟达关键认证，导致市场份额被 SK 海力士和美光大幅挤压。与此同时，DDR4 市场因 SK 海力士和美光将产能集中于 HBM 和 DDR5，出现罕见的供应短缺和价格飙升，2025 年 6 月 DDR4 16Gb 芯片现货价格一度达到 12 美元，同比涨幅超过 100%，甚至反超同容量 DDR5 产品价格。
这种 “前代产品价格超越新一代” 的现象促使三星重新评估产能分配策略，决定利用已折旧的 1z 纳米制程产线继续生产 DDR4，以保持高利润率。
三星此次调整的关键在于充分利用边际成本极低的成熟产线。
根据计划，三星将在未来两年内继续向客户供应 1z 纳米 DDR4 产品，并逐步减少 HBM3E 的晶圆投片量 —— 从每月 7-8 万片降至 3-4 万片，以避免库存积压。这一策略既缓解了 DDR4 供应紧张的局面，也为三星争取了时间窗口，以应对 HBM 市场的不确定性。高盛预测，2026 年 HBM 价格可能因产能过剩下跌 10%，而 DDR4 则因供应缺口持续维持高位。
反观同行，SK 海力士和美光继续聚焦 HBM 与 DDR5。SK 海力士计划 2025 年底月产能达 15 万片，并提前量产 HBM4 以巩固技术优势；美光则加速 HBM3E 的量产进程，预计 2025 年下半年市场份额将接近其整体 DRAM 市占率水平。
台系厂商如南亚科技和华邦电子则填补了 DDR4 的产能缺口。南亚科技凭借成熟的 1B 制程成为 DDR4 市场主力供应商，其 8Gb DDR4 产品已实现满产；华邦电子的 8Gb DDR4 产品下半年将放量，并计划 2026 年导入 16 纳米制程。
中国大陆厂商中，长鑫存储的 Fab1 工厂仍以 DDR4 生产为主，但 Fab2 工厂已全面转向 DDR5，其 DDR4 产能预计 2025 年扩产 60%，重点逐步向 DDR5 倾斜。
后期的价格走势会是怎样？
短期（2025Q3-Q4）受三星复产影响，DDR4 现货价格涨幅可能从 Q3 的 40%-45% 收窄至 Q4 的 10%-15%，但合约价仍将维持高位。HBM 价格因 SK 海力士和美光扩产可能出现季节性回调，但 HBM3E 仍供不应求。
中期（2026 年）DDR4 供应紧张格局持续，价格中枢较 2025 年上涨 20%-30%，而 HBM 市场将进入价格战阶段，SK 海力士凭借技术优势维持溢价。
长期（2027 年后）DDR6 的商用将加速 DDR5 普及，但 DDR4 在工业、汽车等长尾市场仍将存续至 2030 年。
总体来看，尽管 HBM 代表未来方向，但其技术门槛和市场集中度使后来者难以快速突破。而 DDR4 的逆势涨价则证明，在 AI 服务器、电动车等新兴需求尚未完全替代传统市场时，成熟制程仍具战略价值。对产业链而言，多元化产能布局可增强抗风险能力，而动态调整库存策略将成为应对价格波动常态化的关键。
