HDPCVD

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论
  • 在芯片工艺中,HARP和HDP工艺有什么差别
    在半导体制造中,HARP(High Aspect Ratio Process)和 HDP(High Density Plasma)均为关键的薄膜沉积工艺,但它们的技术原理、应用场景和工艺特性存在显著差异。以下是两者的核心区别:
    在芯片工艺中,HARP和HDP工艺有什么差别
  • 什么是HDP Oxide?
    HDP Oxide 是利用高密度等离子体增强CVD技术(HDP-CVD)所沉积的二氧化硅介质薄膜。 HDP Oxide具有超高密度、致密膜层,高深宽比结构的优良填充能力等特点。 HDP Oxide的典型应用包括STI(Shallow Trench Isolation,浅沟槽隔离)填充、Passivation(钝化层)等,其沉积的薄膜密度高,缺陷少,填充能力强。 ? 文章中如果有任何错误和
    717
    08/18 12:20
  • 越制裁,越强大!重要性比肩光刻机的刻蚀设备——北方华创
    美日荷相继加大对华半导体设备出口限制,国产替代迫在眉睫。尽管中国是全球最大半导体消费市场,但本土化缺口明显,2023 年芯片自产率仅 20%、半导体设备国产化率为 35%、高端刻蚀机等关键领域国产化率不足 10%。随着国产晶圆厂的逆势扩张、海外制裁趋紧,本土半导体设备厂商有望扩大份额,预计2025年国产化率将达50%。 前面文章我们分析了国产半导体设备龙头之一的中微公司,今天我们继续深入研究半导体
    1.2万
    2024/11/26
    越制裁,越强大!重要性比肩光刻机的刻蚀设备——北方华创
  • HDPCVD的原理
    知识星球里的学员问:麻烦介绍下HDPCVD的具体用途,原理。 什么是HDPCVD? HDPCVD,全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition,即高密度等离子体化学气相沉积。它产生的等离子体密度非常高,通常在10??至10?? ions/cm?的量级。相比之下,PECVD的等离子体密度就很低了,在间隔宽度小于0.5μm的情况下,用PECVD填充高的
    HDPCVD的原理