SiC MOSFET中自由器件实现的优化

2023/10/26 作者：力特奥维斯Littelfuse

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SiC MOSFET中自由器件实现的优化

本文讨论了在半桥结构下SiC MOSFET自由器件实现的优化。介绍了用SiC MOSFET开关实现的多自由度器件的动态特性。比较了SiC MOSFET体二极管和SiC肖特基势垒二极管(SBD)在开尔文源连接和无开尔文源连接下的开关器件的性能。本文旨在确定SiC MOSFET的主体二极管是否是MOSFET高速开关的限制因素。

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器件型号	数量	器件厂商	器件描述	ECAD模型	参考价格	更多信息
EZADT32AAAJ	1	Panasonic Electronic Components	RC Network, RC Low Pass Filter, 0.063W, 100ohm, 12V, 0.000047uF, Surface Mount, 10 Pins, CHIP		暂无数据	查看
TS420-600B-TR	1	STMicroelectronics	4A sensitive gate SCRs	ECAD模型下载ECAD模型	$1.59	查看
B2B-PH-K-S(LF)(SN)	1	JST Manufacturing	Board Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT	ECAD模型下载ECAD模型	$0.1	查看

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