JSM2003STR250V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

杰盛微（JSMSEMI）深耕功率半导体领域多年，重磅推出的JSM2003STR 250V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，不仅完美替代 TF2003M、IRS2003 等经典型号，更在可靠性、效率与适配性上实现全面升级，为工业与消费电子领域提供了更优解。

一、概览

JSM2003是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM2003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

JSM2003其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V。JSM2003采用 SOP-8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。

二、产品特性

• 自举工作的浮地通道
• 最高工作电压为+250V
• 兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
• dVs/dt 耐受能力可达+50 V/ns
• Vs 负偏压能力达-9V
• 栅极驱动电压从 10V到 20V
• 集成欠压锁定电路

  --欠压锁定正向阈值 8.9V

  --欠压锁定负向闽值 8.2V

• 防直通死区逻辑

  --死区时间设定 520ns

• 芯片传输延时特性

  --开通/关断传输延时 Ton/Toff=160ns/150ns

  --延迟匹配时间 30ns

• 宽温度范围-40°C~125°C
• 输出级拉电流/灌电流能力 290mAV600mA
• 符合 RoSH 标准
• SOP-8

三、应用范围

• 电机控制
• 空调/洗衣机
• 通用逆变器
• 微型逆变器驱动

四、技术参数详解：硬核实力看得见

1. 极限工作范围

超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 VSS 为参考的，环境温度为 25℃。

2. 推荐工作范围：

为了正确地操作，器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以 VSS 为参考的，环境温度为25℃。

五、引脚功能描述

六、功能框图