芯耀
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5月21日，据美国主流媒体《华尔街日报》报道，全球最大的SiC衬底制造商之一碳化硅功率器件巨头Wolfspeed正准备在未来数周内申请破产！消息出来以后，该公司股价在盘后交易中下跌逾57%，Wolfspeed 的市值从百亿美元缩水至个位数。
据路透社的消息，Wolfspeed 一直在努力应对工业和汽车市场需求低迷以及关税引发的不确定性。报道称，在拒绝了债权人提出的几项庭外债务重组提议后，该公司正寻求申请第 11 章破产保护，这将获得大多数债权人的支持。
当路透社联系Wolfspeed 时，他们拒绝发表评论。
该公司使用碳化硅制造芯片，本月早些时候提出了持续经营的疑虑，并预测年收入将低于预期。该公司预计 2026 年营收为 8.5 亿美元，低于分析师预期的 9.587 亿美元。
去年11月面疲软的电动汽车需求和缓慢的工业市场，Wolfspeed宣布裁员20%，并关闭多个站点。到了2025年初，Wolfspeed关闭了几家工厂，并将一些业务转移到200mm碳化硅晶圆厂，以提高效率并扩大生产规模。
据悉，破产主要原因是Wolfspeed目前面临巨大的债务压力，其总债务高达65亿美元（约合人民币470亿元）。公司未能就债券重组达成协议，导致其财务状况进一步恶化。
尽管Wolfspeed深陷债务危机，碳化硅（SiC）产业的技术革命却未停步。作为第三代半导体核心材料，SiC器件在新能源汽车、光伏储能等领域的渗透率持续攀升，据Yole预测全球市场规模将在2027年突破60亿美元。近期行业动态更凸显出冰火两重天的格局。
安森美公布 2025 年第一季度业绩。财报显示，安森美第一季度收入为 14.457亿美元（约合人民币104亿），GAAP毛利率为 20.3%，自由现金流为4.55亿美元（约合人民币33亿），同比增长72%，占收入的31%。安森美在碳化硅领域持续发力，其总裁Hassane El-Khoury透露，尽管一季度汽车行业处于库存调整期，公司仍通过与一家美国头部车企合作斩获750V插混车型碳化硅器件订单，并凭借技术优势在中国800V高压电动车市场加速渗透——中国最新发布的电动车型中近半数将搭载其碳化硅器件，预计2025年末迎来量产高峰。随着第四代沟槽架构EliteSiC MOSFET技术突破及PHEV市场长期增长预期，安森美正通过产品迭代与产能布局巩固碳化硅领域领先地位。
5月8日，英飞凌公布了2025财年第二季度的财报（截至2025年3月31日）。该季度营收为35.91亿欧元（约合人民币290亿），利润为6.01亿欧元（约合人民币48.4亿），利润率为16.7%。英飞凌在财报电话会议中透露，碳化硅（SiC）市场价格正因衬底成本下降及8英寸晶圆远期定价策略呈现动态波动，但公司凭借技术优势保持竞争力——其碳化硅MOSFET在面积效率与性能系数上领先竞品一至两代，并推出全球首款结合沟槽与超结技术的SiC产品，强化高压场景应用潜力。尽管市场波动或导致2025财年碳化硅业务收入增速放缓，英飞凌仍通过结构性创新巩固行业话语权。
近期，英飞凌相继与伟世通、Rivian达成SiC合作，将在车规级应用上搭载SiC技术。
天岳先进
4月29日，天岳先进发布2025年一季度报告，实现季度营收4.1亿元，净利润为852万元，研发投入合计为4494万元，同比增加5.79%。
天岳先进在2024年度暨2025年第一季度业绩说明会上透露，2025年碳化硅市场需求将呈现“多点共振”的强劲态势，主要体现在新能源汽车中碳化硅的渗透率和器件用量持续提升，光伏储能与电力电网领域成为新的增长点，以及AI数据中心与AR眼镜领域的巨大潜力。
此外，天岳先进认为碳化硅产业不会重蹈光伏“内卷”的覆辙，因为其衬底制备需要极端高温、高压设备和精密工艺，全球范围内能稳定量产8英寸衬底的企业寥寥无几。天岳先进已具备大尺寸衬底量产能力，其8英寸衬底已实现规模出货，12英寸产品也已发布并销售，这将强化其技术壁垒并加深与下游技术的绑定。
山东力冠微电子
山东力冠微电子装备有限公司继8英寸液相法SiC长晶炉量产后，正加速攻关12英寸液相法SiC长晶设备，推出12英寸液相法SiC长晶炉。
设备支持12英寸SiC单晶生长，通过多温区协同控制技术，实现生长界面温度梯度高精度控制，破解晶型混杂和晶体开裂难题。采用特殊坩埚设计与惰性气体保护系统，避免杂质污染，降低杂质残留。其自主研发的全闭环控制生长系统，可实时监控生长速率与重量等相关问题。
晶盛机电
5月13日，晶盛机电在官微宣布，他们的子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。
浙江晶瑞基于自主研发的SiC单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，成功攻克12英寸SiC晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的重要突破。
南砂晶圆
南砂晶圆展示了12英寸导电型SiC衬底等重点产品。
公司总部设在广州市南沙区，现有广州、中山、济南三大生产基地，形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和村底制备等完整的生产线，公司产品以6、8英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底为主，可视市场需求不断丰富产品线。
鲁晶半导体与山东大学深化碳化硅功率器件合作
4月2日，鲁晶半导体技术团队与山东大学新一代半导体材料研究院双方达成深化合作协议
双方重点交流了超高压5000V SiC肖特基二极管及大功率MOSFET器件的技术进展。鲁晶半导体技术团队分享了其在器件研发与制造中的阶段性成果，山东大学专家则从学术角度剖析了高频、高效、高温性能优化方案。双方一致认为，SiC功率器件凭借其耐高压、低损耗特性，将成为未来电力电子领域的核心技术方向，而鲁晶半导体的产业化经验与山东大学的科研实力为合作提供了强有力支撑。
综上，产业与个别企业生存危机并存的现状，恰恰印证了SiC赛道已进入深度洗牌期。当技术迭代速度超越资本耐受度，Wolfspeed的困境或许正是行业向理性发展转型的必经阵痛。
