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扫码加入为提升工业电机能源转换效率，让电机能拥有更快的响应速度、更高的带宽、更高精度的位置和速度控制，华普微于近期重磅推出了一款自主研发的高压、高速的功率MOSFET和IGBT半桥驱动器——HPD2606X。
HPD2606X采用了专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，具有强固的电路结构。逻辑输入端口兼容标准CMOS/LSTTL电平，最低支持3.3V逻辑信号。输出驱动集成高脉冲电流缓冲电路，可有效抑制驱动信号交叉导通。此外，其浮动通道设计支持驱动高边拓扑结构中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达600V。
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