芯耀
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近期，“行家说三代半”发现行业内新增2起收购案、1起出售案：
康达新材：拟通过现金方式收购北一半导体不低于51%的股权，取得其控股权；
赛晶科技：赛晶半导体以1.8亿元的总代价收购湖南虹安的全部股权；
AOS：以10.71亿元出售其于万国半导体约20.3%的已发行股权。
康达新材：筹划收购北一半导体控股权
8月29日，康达新材披露相关公告，他们于8月28日与北一半导体及其股东北芯科技、YUUNYONG（韩国籍自然人）签署了《收购意向协议》，拟通过现金方式收购北一半导体不低于51%的股权，取得其控股权，具体投资方案和投资比例待进一步论证和协商。
目前，本次交易尚处于初步筹划阶段，待交易完成后，北一半导体将成为康达新材的控股子公司。北一半导体100%股权的整体估值最终以评估报告和正式签署的收购协议为准。
据悉，北一半导体是专注于新型功率半导体模块研发、生产、封装、测试、销售及服务，主营业务涵盖IGBT、PIM、IPM等功率半导体元器件，产品可应用于新能源汽车、工业控制、工业机器人、光伏、风力发电及储能等领域。
产能建设方面，北一半导体拥有16500平方米的IGBT模块生产基地，配备9条全自动及半自动封装产线，并拥有170余台（套）国内外先进设备。同时，北一半导体正积极推进自主流片晶圆工厂项目建设（一期），主要生产6英寸和8英寸流片。此外，新建3万平方米工厂将专注于碳化硅MOSFET、DSC双面散热和SSC单面散热模块的生产。
对于本次交易的目的和影响，康达新材表示了以下三点：
在“新材料+电子科技”的战略引领下，公司正稳步推进布局，拟通过此次收购，加速半导体产业布局，吸纳集新型功率半导体模块研发、生产、封装、测试、销售及服务于一体的优质资产；
为优化业务结构、提升核心竞争力，公司结合自身发展战略与行业趋势，计划在现有业务基础上持续推动战略转型升级；
本次交易完成后，北一半导体将纳入公司合并报表，有望为公司带来新的收入与利润增长点，增强盈利能力与持续经营能力。
赛晶半导体：以总代价1.8亿元收购湖南虹安
近期，赛晶科技发布公告称：7月11日，子公司赛晶半导体及现有股东与创鑫云（厦门）科技投资有限公司、崇竣科技有限公司、港湾亚洲资本有限公司、协芯科技有限公司（简称“投资者”）正式签署增资协议。
根据协议，赛晶半导体将通过发行新增注册资本的方式，让投资者认购其经扩大后约9%的股权，而这笔认购款将由投资者通过转让湖南虹安全部股权来偿付。与此同时，赛晶半导体还将以1.8亿元的总代价收购湖南虹安的全部股权，这笔收购款同样通过上述发行新增注册资本的方式支付。
增资完成后，赛晶半导体的注册资本将从4252.87万美元（约合人民币3.04亿）增加至4673.48万美元（约合人民币3.34亿），赛晶科技对其的持股比例会降至约64.1918%。不过，这一股权变化不会影响赛晶科技对赛晶半导体的控制，赛晶半导体仍是赛晶科技的附属公司。
对于此次交易的理由，赛晶科技明确道，“本次交易对赛晶半导体的长远发展具有战略意义。”据其披露，目前，赛晶半导体和湖南虹安均处于亏损状态，湖南虹安于股权转让协议交割后成为赛晶半导体的附属公司，赛晶半导体可以系统性整合双方资源，从而实现协同效应。
尤其在技术研发方面，湖南虹安在碳化硅技术上将与赛晶半导体现有的技术研发与产品布局形成高度互补。此外，双方供应链资源的共享可以进一步提升供应链的稳定性，市场资源共享方面也可以扩大市场范围和份额。
据悉，赛晶半导体主要从事IGBT和碳化硅MOSFET器件的研发、生产与销售；湖南虹安则从事各类功率器件研发与应用技术研究，产品包括低压、中压、高压全系列功率MOSFET、微控制器等。
AOS：以10.71亿元出售CQJV的部分股权
7月14日，AOS通过其官网宣布，他们已与一家战略投资者达成股权转让协议，出售AOS位于中国重庆的功率半导体封装、测试和12英寸晶圆制造合资企业（“CQJV”）约20.3%的已发行股权。据了解，CQJV即为万国半导体。
根据股权转让协议，投资者同意向AOS支付总计1.5亿美元（合计人民币10.71亿）的现金对价，该对价将分四期支付。AOS预计，他们将在2025年底前完成拟议出售。此次出售之前，AOS持有CQJV约39.2%的股份，拟议出售的股份约占AOS持股比例的一半。
据AOS披露，此次出售将为他们提供额外且重要的资金，该资金主要用于技术研发项目、收购与业务运营互补的资产。
据悉，万国半导体成立于2016年，是由AOS、重庆战略性新兴产业股权投资基金和重庆两江新区战略性新兴产业股权投资基金共同出资组建的合资企业，其注册资本3.55亿美元，总投资额达10亿美元。
官网显示，AOS成立于2000年，总部位于美国加利福尼亚州硅谷，集设计、晶圆制造、封装测试于一体，产品覆盖功率MOSFET、IGBT、SiC、GaN等。碳化硅业务方面，他们于2016年启动SiC研发，2020年推出首款商用SiC MOSFET（650V/750V），2025年计划发布第三代产品。
