芯耀
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前言
随着AI工作负载的指数级增长，数据中心的电力需求也在不断攀升。传统的54V架构已难以满足现代AI数据中心中即将出现的兆瓦级机架的需求。英伟达与众多第三代半导体供应商、电源系统组件商和数据中心电力系统供应商合作，共同推动800 VDC架构的建设。
这一架构在可扩展性、效率、铜材减少、可靠性等方面都有显著优势，可支持从100KW到超过1MW的机架，并实现端到端效率提升，降低总拥有成本。英伟达计划在2027年实现建设全规模建设800 VDC数据中心，以满足下一代AI工作负载的需求，推动MW级AI数据中心的发展，同时通过效率、可靠性和系统架构改进，将总拥有成本降低高达30%。
而8月1日，英诺赛科宣布与英伟达达成合作，联合推动800 VDC电源架构建设，同时英伟达官网现已更新800V直流电源架构合作商名录，英诺赛科也是本次入选合作伙伴中唯一中国芯片企业。
800 VDC电源架构
传统54 VDC架构系统电流非常高，对导线材质、线径以及电源架的需求更高，单单铜线便会占据数据中心大量空间。且据英伟达数据指出，MW级别机架服务器若仍采用54V架构，则电源系统需要占据64U机架空间，现实应用成为难题。
在这种背景下，NVIDIA正引领数据中心向800 VDC架构转变，以应对这一挑战。与54V架构相比，800 VDC架构在空间、铜耗和效率等方面具有显著优势。传统的54V架构在面对大规模AI工作负载时，需要消耗大量机架空间用于电源架，还会面临铜过载和低效转换等问题。而800 VDC架构通过在数据中心周边将13.8kV AC电网电力直接转换为800 VDC，减少了中间转换步骤，降低了能量损失，提高了系统可靠性。此外，800 VDC 架构能够通过相同导体尺寸传输更多电力，降低电流需求，减少铜消耗并提升效率。同时，机架服务器采用800V直流输入，可直接为GPU设备供电，无需AC/DC转换，有效简化系统设计、降低损耗并支持AI算力100-1000倍性能提升。
另外，传统硅基器件因存在诸多劣势，在高功率密度场景下效率较低。而氮化镓作为第三代半导体核心材料，凭借其自身优势，成为800 VDC架构的理想载体。英伟达本次与英诺赛科达成合作，力求借助双方的优势，共同开拓800 VDC架构高的广阔前景。
英诺赛科与英伟达合作构建800 VDC架构
英诺赛科IDM全链优势是本次与英诺赛科合作的关键。英诺赛科拥有自主研发的8英寸GaN-on-Si量产线，良率超95%，产能与成本竞争力强劲。其第三代GaN器件效率高达98.5%，适配15~1200V全电压场景，实现低中高压DC-DC全覆盖，为英伟达Kyber机架提供端到端800 VDC氮化镓电源，将800V高压直流架构由蓝图推向行业标准，助力数据中心能耗降20~30%、减碳千万吨、空间省40%，开启新一轮AI算力爆发周期，是助推英伟达800 VDC架构落地的核心合作伙伴。
在与英伟达达成合作后，英诺赛科股价于8月1日出现显著上涨，港股股价盘中一度飙升近64%，此后涨幅始终保持在30%以上。如此强劲的市场反应，充分反映出投资者对英诺赛科与英伟达在800V架构合作前景的积极预期，而这一合作也从侧面凸显了英诺赛科深厚的技术积淀与强大的研发实力，为其在行业内的进一步发展赢得了更多关注与期待。
充电头网总结
英诺赛科以IDM全链路优势及全压段覆盖GaN器件，为英伟达800 VDC架构提供关键支持，从输入母线到GPU终端打通 “零瓶颈” 通路，大幅削减转换损耗并提升功率密度，助力数据中心大幅能耗、节省空间并降低碳排放。同时有助于大幅提升AI算力，为下一代AI数据中心发展注入强大动力。
英诺赛科是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者。英诺赛科的器件设计与性能树立了全球氮化镓技术标杆，持续迭代创新的企业文化将加速氮化镓性能提升与市场普及。公司的氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖了从15V至1200V的氮化镓工艺节点。公司的晶圆、分立器件、集成功率集成电路（IC）以及模组产品为客户提供了强劲可靠的氮化镓（GaN）解决方案。凭借800项已授权及申请中的专利布局，英诺赛科产品以高可靠性、性能与功能优势，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域，开创氮化镓技术的光明未来。
